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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.2
18.4
写入速度,GB/s
8.6
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3583
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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