RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3651
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link