RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2561
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link