RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 71
    周辺 70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 7.9
    テスト平均値
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3130 left arrow 1757

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAMの比較

Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
メモリRAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM