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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 30
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    24 left arrow 14.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    20.0 left arrow 9.0
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    24.0 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    20.0 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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