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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
33
周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.9
17.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
31
読み出し速度、GB/s
17.6
19.9
書き込み速度、GB/秒
12.0
14.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
3357
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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