Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 33
    Около -6% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.9 left arrow 17.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 12.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.6 left arrow 19.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2910 left arrow 3357
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения