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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
64
周辺 55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
18
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
64
読み出し速度、GB/s
24.0
18.0
書き込み速度、GB/秒
20.0
8.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
2197
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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