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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
24
20.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
17.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
29
周辺 -61% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
18
読み出し速度、GB/s
24.0
20.4
書き込み速度、GB/秒
20.0
17.2
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
3814
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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