RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    24 left arrow 20.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    20.0 left arrow 17.2
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 29
    Около -61% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    24.0 left arrow 20.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    20.0 left arrow 17.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    4156 left arrow 3814

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
модули RAM
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
модули RAM