RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 76
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.7
    テスト平均値
AMD R744G2606U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2606U1S 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 2,066.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 1809

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

AMD R744G2606U1S 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
メモリRAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
メモリRAM