RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
76
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1809
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link