RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
比較する
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
総合得点
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,066.5
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
49
周辺 -48% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
33
読み出し速度、GB/s
4,577.1
15.9
書き込み速度、GB/秒
2,066.5
10.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
737
2847
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link