RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2847
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link