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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 62
    周辺 -44% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2250

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
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Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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