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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
16.1
15.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3052
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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