RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3052
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link