RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
比較する
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
62
周辺 -51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
7.7
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
41
読み出し速度、GB/s
3,556.6
7.7
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
7.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
1855
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
バグを報告する
×
Bug description
Source link