RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
7.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1855
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link