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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 62
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 8.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2331

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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