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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB 考慮すべき理由
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 33
    周辺 -57% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 3211

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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