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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
35
周辺 23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
35
読み出し速度、GB/s
16.7
10.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
8.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
1998
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAMの比較
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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