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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.6
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3164

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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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