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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
7.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
30
読み出し速度、GB/s
16.7
11.2
書き込み速度、GB/秒
11.8
7.9
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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