RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
11.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link