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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3909

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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
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