RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 38
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2298

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
メモリRAM