RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2298
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link