Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

総合得点
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 35
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2126 left arrow 2902
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