RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link