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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
総合得点
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
77
周辺 56% 低遅延
考慮すべき理由
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
8.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
5.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
77
読み出し速度、GB/s
8.6
15.5
書き込み速度、GB/秒
5.8
8.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1682
1809
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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