RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
77
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link