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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
総合得点
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
43
読み出し速度、GB/s
12.0
13.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
8.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2171
2185
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