RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
総合得点
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
29
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
28
読み出し速度、GB/s
12.1
12.2
書き込み速度、GB/秒
7.8
9.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2177
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link