RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link