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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 29
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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