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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
43
読み出し速度、GB/s
13.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
9.0
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
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