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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3208

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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Teclast TLD416G26A30 16GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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