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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
29
読み出し速度、GB/s
13.4
12.3
書き込み速度、GB/秒
9.0
9.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
2339
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Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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