Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

総合得点

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 41

周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.4 12.7

テスト平均値

Kingston K821PJ-MID 16GB

考慮すべき理由
Kingston K821PJ-MID 16GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

10.3 9.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 41
読み出し速度、GB/s

13.4 12.7
書き込み速度、GB/秒

9.0 10.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2423 2338

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

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Kingston KVR26N19D8/16 16GB

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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB

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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

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