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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
62
周辺 -100% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
31
読み出し速度、GB/s
7.4
17.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
15.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Nanya Technology NT16GC72C4NB0NL-CG 16GB
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