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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
62
周辺 -72% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
36
読み出し速度、GB/s
7.4
15.9
書き込み速度、GB/秒
5.9
14.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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