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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
62
71
周辺 13% 低遅延
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
71
読み出し速度、GB/s
7.4
15.5
書き込み速度、GB/秒
5.9
8.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1612
1902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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