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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
62
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.7
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
42
読み出し速度、GB/s
7.4
11.7
書き込み速度、GB/秒
5.9
8.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1612
2535
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RAM 2
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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