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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB 考慮すべき理由
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 62
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 10.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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