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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
総合得点
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
33
周辺 15% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
33
読み出し速度、GB/s
10.9
16.1
書き込み速度、GB/秒
7.1
14.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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