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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
3599
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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