RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
54
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link