RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
54
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
37
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link