RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link